富士通打造碳纳米管内存：比闪存快1000倍

日本富士通宣布，与美国Mantero公司达成合作协议，将共同推进碳纳米管内存(NRAM)的研发、制造。这种全新内存号称速度是普通闪存的1000倍。

碳纳米管(又名富勒烯/简称CNT)是一种很独特的材料，直径只有人类头发的5万分之一，能导热导电，硬度是钢铁的50倍，和它沾边的东西几乎都是高级黑科技，包括很多号称有突破性的新电池。

碳纳米管还能通过硅基沉底实现0、1的变化，所以可以做成存储芯片，而且是非易失性的，断电也不会丢数据。

除了速度更快，NRAM内存的功耗也更低，可靠性、耐用性都更强，关键是成本更低。

富士通计划将Mantero公司的NRAM内存整合到自家芯片中，预计2018年底推出商用商品，不过制造工艺55nm，单颗容量也只有256Gb(32MB)，并不适合大规模普及。

其实，Nantero 2006年开始就说要投产碳纳米管内存，但一直没什么进展，希望这次能和富士通做出一些实际效果，推动这一技术的深入发展。