超低导通电阻和栅极电荷的500V、12A N沟道功率MOSFET（Vishay）
2010年07月14日 09:27 发布者：嵌入式公社
Vishay推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。
这三款器件的低导通电阻意味着更低的功率损耗，从而在各种应用的功率因数校正(PFC)升压电路、脉宽调制(PWM)半桥和LLC拓扑中节约能源，这些应用包括笔记本电脑的交流适配器、PC机和液晶电视，以及开放式电源。
除了具有低导通电阻，这三款器件的栅极电荷为48nC。栅极电荷与导通电阻的乘积低至26.64Ω-nC，该数值是描述用于功率转换应用中MOSFET性能的优质系数(FOM)。
新款N沟道MOSFET采用Vishay Planar Cell技术生产，这项技术为减小通态电阻进行了定制处理，可承受在雪崩和整流模式中的高能量脉冲。与前一代MOSFET相比，SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3改善了开关速度和损耗。
这些器件符合RoHS指令2002/95/EC，并经过了完备的雪崩测试，以实现可靠的工作。新款功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周到十周。