Peregrine 半导体公司推出40 GHz射频SOI开关

UltraCMOS PE42524树立了射频 SOI开关在高频性能方面的新标准，比起现有的GaAs解决方案，在可靠性和性能方面具有优势

Peregrine半导体公司推出UltraCMOS PE42524，这是行业中第一个工作频率高达40 GHz 的射频 SOI开关。这种开关引人注目地把Peregrine的高频产品阵容扩大到先前以砷化镓（GaAs）技术为主的频率。作为GaAs以外的另一种解决方案，PE42524的可靠性高，在线性度、隔离性能、过渡过程时间和静电放电（ESD）保护性能等方面具有优势。由于这种开关具有这些特性，是用于测试和测量、微波回程、雷达和军事通信设备的理想开关。

“随着我们把高频产品进一步延伸到微波频率，Peregrine证明了射频 SOI技术的能力和优势。” Peregrine半导体高级营销经理Kinana Hussain说。“我们的UltraCMOS技术促成了我们的高频元件，例如PE42524，达到以前人们认为射频SOI不可能达到的性能水平。Peregrine的产品发展路线图包括其他高频元件，已经并将继续在射频 SOI方面树立新的标准。＂

Peregrine的高频开关产品，其中包括13 GHz、18 GHz、26.5 GHz和现在40 GHz产品，是用Peregrine公司的UltraCMOS技术制造的。UltraCMOS技术是SOI技术在蓝宝石基片上实现的专利技术。对于高频设计，蓝宝石基片具有十分重要的若干关键性好处。蓝宝石的损耗角正切优于CMOS十倍，优于砷化镓三倍。蓝宝石是电阻率超高的基片，它的隔离度高，而且寄生电容最小。蓝宝石基片根除了硅基片常见的许多耦合方面的影响，因而为射频系统工程师带来非凡的线性度和功率处理性能。

特性、包装、价格和供货
Peregrine的PE42524是单刀双掷（SPDT）射频开关裸片，它的频率范围宽，从10 MHz至40 GHz。它的端口与端口之间的隔离性能极好，插入损耗低，线性度优异。在30 GHz时，开关的隔离性能是47分贝，插入损失为2.2分贝，在13.5 GHz时的IIP3为50 dBm。PE42524的开关时间为225纳秒，过渡过程时间很短，为840纳秒，所有引脚的人体放电模型（HBM）静电放电保护电压高达2000伏。和砷化镓的解决办法不同，对于PE42524，在射频端口，如果没有直流电压，不需要阻断电容器。PE42524可以以倒装片裸片的方式提供，它的凸块间距为500微米，从而根除了由于邦定线长度变化而引起的性能变化。

样品、评估工具和量产件现在已经上市。PE42524的倒装片裸片符合RoHS标准，订购数量为1千片时的价格是每个40美元，订购数量为5千片时的价格是32.44美元。


  特性  UltraCMOS  PE42524
  配置  单刀双掷（SPDT）
  频率范围  10 MHz至40 GHz
  隔离性能好  ·         48 dB （在  26.5 GHz时）
  ·          39 dB （在 35 GHz时）
  ·          33 dB （在 40 GHz时）
  线性度好  IIP3 为50 dBm （在13.5GHz时）
  输入的 1dB压缩点   ·         31.5 dB （在  26.5 GHz时）
  ·          28 dB （在35 GHz时）
  插入损耗小  ·         1.8 dB （在  26.5 GHz时）
  ·          3.1 dB （在35 GHz时）
  静电放电（ESD）保护额定电压高  2000V（人体放电模型，所有引脚）
  开关时间  225 ns
  过渡过程时间  840 ns
  封装  倒装片裸片