Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列,提供最低的导通电阻和多种可选封装
2015年03月10日 10:57 发布者:eechina
全新的 SuperFET MOSET 系列将最低的导通电阻 (Rdson)、最低的输出电容 (Coss) 和广泛的可选封装相结合,为设计师提高灵活性Fairchild今日推出 800V SuperFET II MOSFET 系列,该系列提供广泛的可选封装并拥有业内最低的导通电阻 (Rdson) 和输出电容 (Coss)。新系列帮助设计师提高高性能解决方案(需要 600V/650V 以上的击穿电压)的效率、成本效益和可靠性,同时通过减少元件的使用从而减少这些设计的电路板空间。

800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性,加上出色的效率和热特性,使其成为各种应用的理想之选。同时,多种可选封装为设计师带来巨大的灵活性,在尺寸受限的设计中尤为如此。该系列的关键应用包括 LED 照明、LED 电视和家庭影院音响设备的电源、电源适配器、服务器、工业电源和辅助电源及微型太阳能逆变器。
“借助 Fairchild 的全新 800V SuperFET II MOSFET 系列,制造商可提高产品的效率和可靠性。由于优越的开关性能和低导通电阻,此系列的效率明显优于最接近的竞争产品,”Fairchild 的首席技术市场工程师 Wonhwa Lee 说。“新系列采用最新的超级结技术,实现小形状因数及更胜以往的高效率,其耐用的内置二极管在高 dv/dt 条件下可提高工业桥式电路的可靠性。”
Fairchild最新的SuperFET II MOSFET 系列由 Rdson 范围为 4.3 欧姆至业内最低 60 毫欧的26个器件(均以各种标准封装提供)组成,为设计师在针对特定应用采用最佳器件中提供更多选择和灵活性。例如,FCD850N80Z 是该系列的主要成员,将 DPAK 中异常低的850 毫欧 Rdson(最大值)与比主要竞争产品低 6~11% 的Rdson (最大值)和低8~13% 的Coss (@400V)相结合,使其成为需要低导通电阻和尺寸受限的 LED 照明应用的理想之选。
Fairchild 800V SuperFET II MOSFET 的成员包括:
Rdson TO-247 D2-pak TO-220 TO-220F D-pak I-pak
(最大值) (TO-252) (TO-251)
4,300 FCPF4300N80Z FCU4300N80Z
3,400 FCD3400N80Z* FCU3400N80Z*
2,250 FCPF2250N80Z FCD2250N80Z FCU2250N80Z
1,300 FCPF1300N80Z FCD1300N80Z
FCPF1300N80ZYD*
850 FCP850N80Z* FCPF850N80Z FCD850N80Z FCU850N80Z
650 FCP650N80Z* FCPF650N80Z
400 FCP400N80Z* FCPF400N80Z
FCPF400N80ZL1**
290 FCB290N80* FCP290N80* FCPF290N80*
220 FCP220N80* FCPF220N80*
85 FCH085N80_F155*
60 FCH060N80_F155*
(*: 开发中)
要了解 Fairchild SuperFET II MOSFET 技术的更多信息,请访问 https://info.fairchildsemi.com/FY15M03-PR_CN-800V_SuperFET_II_MOSFET_Family.html