Diodes推出一对MOSFET H桥，可节省50%占位面积

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一对MOSFET H桥，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品通过减少元件数量及缩减50%的印刷电路板占位面积，简化电机驱动和电感无线充电电路。40V额定值H桥DMHC4035LSD旨在满足车用电机驱动应用的要求；30V额定值H桥DMHC3025LSD则适合12V单相风扇应用。



DMHC3025LSD及DMHC4035LSD把双N通道和双P通道MOSFET集成到占位面积仅为5mm x 6mm 的单一SO-8封装，成为完整的H桥。替代尺寸相当于四个SOT23封装或两个SO-8封装的器件，适用于多种受空间限制的汽车和工业应用，包括低功率直流无刷电机驱动器和风扇控制，并且满足驱动电感负载的类似要求。

两款H桥节省空间的优势与MOSFET的低导通电阻性能相辅相成，40V N通道器件在10V VGS的电压下一般只有45mΩ的电阻；40V P通道器件的电阻在-10V VGS 的电压下则为65mΩ。器件的低导通电阻可把传导损耗降到最低，从而能够在电机堵转的情况下承受较高的连续电流。这些30V及40V额定值的H桥在+70ºC的高温工作环境下，可分别提供3A和2A的连续电流，以适应最坏情况下的电机堵转电流。