IR推出电池保护MOSFET系列，为移动应用提供具有成本效益的灵活解决方案

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件，包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET。



全新功率MOSFET具有极低的导通电阻，可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高栅极驱动从12 Vgs起，非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD在精密且能高效散热的小罐式DirectFET封装内提供两个采用共漏极配置的20V N通道MOSFET。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR拥有适合电池管理的广泛的MOSFET产品系列，提供行业标准封装以及适合精密设计的小罐式双DirectFET封装。新器件具有低导通电阻，可替代采用较大封装的MOSFET，从而节省电路板空间及系统成本。”

所有新产品均不含铅、溴和卤，符合第一级湿度敏感度标准 (MSL1) 及电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

规格

  器件  通道类型  配置  封装  VBRDSS  最大VGS  4.5V下的  2.5V下的  典型QG
  (V)  (V)  最大导通电阻  最大导通电阻  (nC)
  　  　  (mΩ)  (mΩ)  　
  IRL6297SD  N  双共漏极  DirectFET SA  20  12  4.9  6.9  54
  IRLML2246  P  单  SOT-23  -20  12  -135  -236  2.9
  IRLML2244  P  单  SOT-23  -20  12  -54  -95  6.9
  IRLML6244  N  单  SOT-23  20  12  21  27  8.9
  IRLML6246  N  单  SOT-23  20  12  46  66  3.5
  IRLML6344  N  单  SOT-23  30  12  29  37  6.8
  IRLML6346  N  单  SOT-23  30  12  63  80  2.9
  IRLHS2242  P  单  PQFN 2x2  -20  12  -31  -53  12
  IRLHS6242  N  单  PQFN 2x2  20  12  11.7  15.5  14
  IRLHS6276  N  双独立  PQFN 2x2  20  12  45  62  3.1
  IRLHS6342  N  单  PQFN 2x2  30  12  15.5  19.5  11
  IRLHS6376  N  双独立  PQFN 2x2  30  12  　  82  2.8
  IRLTS2242  P  单  TSOP-6  -20  12  -32  -55  12
  IRLTS6342  N  单  TSOP-6  30  12  17.5  22  11

产品现正接受批量订单。相关数据及MOSFET产品选型工具，请浏览IR的网站http://www.irf.com。