中芯国际、武汉新芯与清华、北大、中科院成立“集成电路先导技术研究院”

中芯国际集成电路制造有限公司今日宣布，与武汉新芯、清华大学、北京大学、复旦大学、中科院微电子所合作成立“集成电路先导技术研究院”，携手打造国内最先进的集成电路工艺技术研发机构。

随着半导体工艺技术不断推进，进入20纳米节点后，技术的开发难度和投资都大幅增加，如果能在这些尖端技术节点上整合企业和科研机构的力量，将极大提高研发的效率和进度。“集成电路先导技术研究院”将致力于整合国内IC产业链研发资源，打造一个能联动设备厂商、材料供应商、代工厂、设计企业及科研机构的公共平台。这既是一个产、学、研、用相结合的技术创新平台，又是一个为国产专用设备和材料的研发提供大生产条件的验证平台。

现阶段，研究院将以20纳米及以下的集成电路主流基础工艺为研发重点，包括先进逻辑技术基本工艺、先进非易失性存储器工艺技术、国产设备和材料的验证、相关配套IP的研发与验证等。后续随着产业技术的发展和客户的实际需求，将邀请设计、设备、材料公司及产业链上相关的企业，以会员、项目合作等形式加入。依托于此平台，研究院将加强与国际的交流合作，并推动自主知识产权体系的建立，加快专利与人才的培养，从而提升中国集成电路产业自主创新的核心竞争力。

中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士在签约仪式上表示：“该研究院是各方强强联手，在探索建立以企业为主导、产学研共同参与的开放式的集成电路研发体制上的一大创举。我们将借此整合企业与科研机构的力量，加速先进基础工艺技术的研发进程，应对知识产权保护等业界共同面临的问题，从而推动中国集成电路产业的快速发展。”

科技部副部长曹健林表示：“联合是正确的方向，政府支持产学研有效的结合，联合可以使研发针对市场和应用，联合可以产生更强的研发机构将技术发展方面的国际合作推进得更加深入。希望今天是良好的开端，我国集成电路的技术发展能走得更快更好！”