传英特尔拟开发18核Broadwell芯片
2013年12月20日 13:51 发布者：eechina
英特尔正在为不远的将来规划什么样的高性能芯片？据专注于芯片产品的网站Vr-zone报道称，英特尔未来的Broadwell芯片将整合18个核心；而另一篇报道称，未来的Broadwell芯片将主打平板电脑市场。据报道称，英特尔未来的18核Broadwell-EP或EX Xeon芯片将采用英特尔未来的14纳米生产工艺来生产。
Vr-zone报道称：“英特尔不会加快芯片的运行速度，而是增加每个芯片上的核心数量。”
据称，该款18核芯片最早也要等到2015年才能上市。英特尔还计划研发供台式机电脑和工作站使用的8核和10核高性能芯片。
预计首款Broadwell芯片将在明年上半年发布。现在核心数量最多的英特尔芯片拥有12个核心。
如果软件能够很好地利用增加的核心的话，增加处理器的核心数量就可以提高性能。
但那并非英特尔为Broadwell芯片制定的全部计划。据《处理器世界》（CPU World）报道称，在处理器技术研发的另一端，未来的Broadwell芯片的热封套可能会低至4.5瓦。
那样，Broadwell芯片就能够被用于平板电脑和一体机。英特尔最近一直很关注一体机市场。
英特尔对此未予置评。
--腾讯科技编译