东芝扩充碳化硅肖特基势垒二极管系列，新增10A产品

东芝公司（Toshiba Corporation）将扩充其650V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）系列，为其现有的6A、8A和12A产品阵容中增添一款10A产品。该产品将于即日起批量交付。

SBD适用于多种应用，包括光伏发电系统的功率调节器。它们还可替代开关电源中的硅二极管，可省电50%（东芝数据）。

即便以大电压与大电流工作，SiC电源设备都会比现有的硅设备工作起来更稳定，因为它们可大幅减少工作期间的热损耗。它们可满足业界对尺寸更小、效率更高的通信设备的多元化需求，其工业应用从服务器到反相器，一应俱全。

  
新产品
产品型号                               电气规格           封装
        VRRM         IF         VF （V）           IRRM （μA）         
        （V）         （A）         标准值/最大值         标准值/最大值        
TRS10E65C           650           10           1.5 / 1.7           0.42 / 90           TO-220 （2引脚）
  
当前产品阵容
产品型号                               电气规格           封装
        VRRM         IF         VF （V）           IRRM （μA）         
        （V）         （A）         标准值/最大值        标准值/最大值        
TRS6E65C         650         6         1.5 / 1.7         0.3 / 90         TO-220 （2引脚）
TRS8E65C         650         8         1.5 / 1.7         0.4 / 90         
TRS12E65C           650           12           1.54 / 1.7           0.45 / 90           
  
通过以下链接了解该产品更多信息：
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/diode/sic/index.html

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