东芝为基站和服务器推出30V电压功率MOSFET
2013年06月20日 10:15 发布者：eechina
实现最高级别低导通电阻性能和高速转换东芝公司宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率MOSFET系列。这些产品采用了最新的第八代低压沟槽结构，实现了最高级别的[注1]低导通电阻和高速转换。该系列产品计划于6月底投入量产。
特性
1. 采用了第八代低压沟槽结构，实现了最高级别的[注1]低导通电阻
2. 实现了较低的内部门极电阻和较低的门极电容比（Cgd/Cgs），有助于预防自启动现象
规格
封装 产品型号 VPSS
（V） VGSS
（V） RDS（ON） （mΩ） Crss
（标准值）
（pF） Ciss
（标准值）
（pF） Qg
（VGS=4.5V）
（标准值）
（nC） rg
（标准值）
（Ω）
VGS=10V VGS=4.5V
标准值 最大值 标准值 最大值
SOP
Advance TPH11003NL 30 ±20 9.4 11.0 12.6 16.0 18 510 3.3 1.3
TPH8R903NL 30 ±20 7.6 8.9 10.2 12.7 21 630 4.4 1.1
TPH6R003NL 30 ±20 5.2 6.0 6.8 8.3 37 1050 8.2 1.1
TSON
Advance TPN11003NL 30 ±20 9.4 11.0 12.6 16.0 18 510 3.3 1.3
TPN8R903NL 30 ±20 7.6 8.9 10.2 12.7 21 630 4.4 1.1
TPN6R003NL 30 ±20 5.2 6.0 6.8 8.3 37 1050 8.2 1.1
SOP-8 TP89R103NL 30 ±20 7.8 9.1 10.4 12.9 21 630 4.4 1.1
TP86R203NL 30 ±20 5.4 6.2 7.0 8.5 37 1050 8.2 1.1
有关该产品的更多信息，敬请查看产品页面。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1323894_37649.html
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