超紧凑、薄型封装的高性能MOSFET（飞兆）

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为满足便携产品设计人员不断寻求效率更高、外形更小更薄的解决方案的需求，推出采用超紧凑、薄型(1.6mm x 1.6mm x 0.55mm)封装的高性能MicroFET MOSFET产品系列。

设计人员使用这一行业领先的产品系列，能够挑选最适合其应用和设计需求的MicroFET MOSFET产品。新的产品系列备有数种常用的拓扑选择，包括单P沟道和肖特基二极管组合，单N沟道和肖特基二极管组合、双P沟道、双N沟道、互补对(complementary pair)、单N沟道和单P沟道器件。



这些MicroFET MOSFET采用飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET工艺技术，能够实现非常低的RDS(ON)、总体栅极电荷(QG) 和米勒电荷(QGD)，从而获得出色的传导和开关性能及热效率。相比传统的MOSFET封装，其先进的MicroFET封装提供了出色的功耗和传导损耗特性。

飞兆半导体提供业界最广泛的具有增强热性能的超紧凑薄型1.6mm x 1.6mm 和2mm x 2mm MicroFET器件。这些易于使用、节省空间的高性能MOSFET是便携应用的理想选择。

  产品编号
    封装
    拓扑
    典型便携应用
    单价 (订购1000个)
     FDME1023PZT
  
MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm
  
双P沟道
  
电池充电
  
0.35美元
  FDME1034CZT
  
MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm
  
互补对(Complementary Pair)
  
DC-DC转换、带有电平转移的负载开关
  
0.35美元
  FDFME2P823ZT
  
MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm
  
单P沟道 +
肖特基二极管
  
电池充电
  
0.34美元
  FDFME3N311ZT
  
MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm
  
单N沟道 + 肖特基二极管
  
升压开关
  
0.34美元
  FDME1024NZT
  
MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm
  
双N沟道
  
DC-DC转换、基带开关
  
0.35美元
  FDME510PZT
  
MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm
  
单P沟道
  
负载开关、电池开关
  
0.33美元
  FDME410NZT
  
MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm
  
单N沟道
  
负载开关
  
0.33美元

供货：现提供样品。交货期：收到订单后12周

产品的 PDF 格式数据表可从此网址获取：
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME1023PZT.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME1034CZT.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDFME2P823ZT.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDFME3N311ZT.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME1024NZT.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME410NZT.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME510PZT.pdf