铠侠与闪迪携手在ISSCC 2025上发布第十代BiCS FLASH闪存技术

2月21日，存储技术领域的两大巨头——铠侠（Kioxia）与闪迪（SanDisk）在国际固态电路会议（ISSCC 2025）上携手发布了一项重大技术突破：第十代BiCS FLASH闪存技术。这一创新技术的发布，标志着存储行业在速度、功耗及存储密度方面迈入了全新的发展阶段。



据悉，第十代BiCS FLASH闪存技术采用了先进的CMOS直接键合到阵列（CBA）技术，将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆单独制造后粘合在一起。这一技术的运用，使得闪存芯片在结构上更加紧凑，性能更加卓越。同时，铠侠与闪迪还引入了最新的Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，将NAND I/O接口速度从上一代的3.6Gbps提升至4.8Gbps，实现了33%的性能提升。

除了速度上的显著提升，第十代BiCS FLASH闪存技术在功耗控制方面也取得了显著成果。通过引入PI-LTT（电源隔离低抽头终端）技术，该技术在数据输入/输出过程中实现了显著的功耗降低，其中输入功耗减少了10%，输出功耗更是降低了34%。这一功耗性能的提升，不仅有助于延长设备的续航时间，还降低了对环境的负担，体现了铠侠与闪迪在环保方面的积极贡献。

在存储密度方面，第十代BiCS FLASH闪存技术同样表现出色。通过增加闪存层数至332层，并优化晶圆平面布局，该技术使得位密度相较于前代产品提升了59%。这一提升不仅满足了用户对更大存储容量的需求，还为未来更多数据密集型应用的开展提供了基础保障。

铠侠与闪迪的首席技术官在发布会上表示，随着人工智能技术的普及和大数据时代的到来，存储设备的速度与效率成为企业选择技术架构时的一项关键指标。第十代BiCS FLASH闪存技术的推出，正是对市场需求的积极回应，它将为用户提供更加高效、可靠的数据存储解决方案。