俄罗斯公布自研EUV光刻机路线图

近日，俄罗斯已公布自主开发极紫外光刻（EUV）光刻机的路线图，目标旨在制造出比荷兰ASML公司的光刻机更便宜且更容易制造的产品。

俄罗斯的自主光刻机在技术参数上有独特之处，其采用11.2nm的激光光源，而ASML的光刻机采用的是标准的13.5nm激光光源。这一改变带来了多方面的影响。首先，在分辨率方面，11.2nm波长的分辨率相比13.5nm提高了20%，能够提供更精细的芯片制造细节。

在成本方面，11.2nm波长的调整简化了光刻机的设计并降低了光学元件的成本。这种设计改进还显著减少了光学元件的污染，延长了诸如收集器和保护膜等关键部件的使用寿命。而且俄罗斯的光刻机还可使用硅基光阻剂，预期在较短波长下具备更出色的性能表现。

不过，目前俄罗斯的光刻机也存在一些限制。例如，其光源功率仅为3.6千瓦，这导致产量仅为ASML设备的37%，但就小规模芯片生产需求而言，其性能是足够的。

该项目由俄罗斯科学院微结构物理研究所的Nikolay Chkhalo领导。在研发计划上，其分三个阶段推进。第一阶段聚焦技术突破，进行科学研究与工程设计以解决关键技术难题，并制定合作框架和设备清单为后续奠定基础；第二阶段是实验验证，制造用于测试的实验性光刻设备，集成高效多镜头投影系统和多千瓦激光器，用于200/300毫米晶圆的工艺测试；第三阶段则走向产业化，开发适合工业应用的高性能光刻设备，计划量产直径300毫米晶圆的设备，生产能力预计超每小时60片。

由于西方制裁，俄罗斯难以获取国外先进光刻设备，在这样的背景下，俄罗斯自主研发光刻机有助于其实现技术主权，并且从长远来看，计划中的光刻设备有望为中小型芯片制造商提供更具成本效益的选择。尽管面临资金不足和人才匮乏等挑战，但俄罗斯决心依据创新路线图突破困境，并希望在2028年前完成研发工作。

值得注意的是，俄罗斯光刻机采用11.2nm波长，这与现有的EUV基础设施不兼容，未来俄罗斯可能需要在开发自己的光刻生态系统方面投入大量精力，这一过程或许需要数年甚至十年或更长时间。