台积电今明两年将接收60台以上EUV光刻机, 投入超过123亿美元

2024年07月01日 10:09    发布者:eechina
来源:EXPreview

按照台积电(TSMC)的安排,将在2nm制程节点将首度使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管,同时制造过程仍依赖于极紫外(EUV)光刻技术,计划2025年进入大批量生产阶段,客户在2026年就能收到首批采用N2工艺制造的芯片。

据Trendforce报道,有报告显示,台积电正在积极安装对于先进工艺至关重要的EUV光刻机,以应付2nm工艺的量产,今年和明年将接收超过60台EUV光刻机,投入的资金额超过4000亿新台币(约合123亿美元/人民币894亿元)。

随着ASML不断扩大产能,预计2025年EUV光刻机的交付量将增长30%以上,台积电也会因此受益。去年ASML为了响应客户的需求计划增产,明年的EUV光刻机交付量会有明显增长,预计今年为53台,明年增至72台以上。据了解,ASML在2025年的目标产能为90台EUV光刻机、600台DUV光刻机、以及20台High-NA EUV光刻机。

EUV光刻机的供应一直很紧张,交货时间在16至20个月之间,2024年的订单大部分要到2025年才能交付。传闻台积电2024年订购了30台EUV光刻机,2025年为35台。不过由于台积电可能会对资本支出计划进行调整,这些数字最终会略有变化。此外,台积电有望在今年某个时候接受到最新的High-NA EUV光刻机。