碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性

2023年09月20日 15:41    发布者:Eways-SiC
碳化硅SiC MOSFE Vd‐Id 特性 288902
SiC‐MOSFET 与IGBT 不同,不存在开启电压,所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。
而Si‐MOSFET 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上,与Si‐MOSFET 不同,SiC‐MOSFET的上升率比较低,因此易于热设计,且高温下的导通电阻也很低。
驱动门极电压和导通电阻SiC‐MOSFET 的漂移层阻抗比Si‐MOSFET 低,但是另一方面,按照现在的技术水平,SiC‐MOSFET的MOS 沟道部分的迁移率比较低,所以沟道部的阻抗比Si 器件要高。因此,越高的门极电压,可以得到越低的导通电阻(Vgs=20V 以上则逐渐饱和)。如果使用一般IGBT 和Si‐MOSFET 使用的驱动电压Vgs=10~15V 的话,不能发挥出SiC 本来的低导通电阻的性能,所以为了得到充分的低导通电阻,推荐使用Vgs=18V 左右进行驱动。Vgs=13V 以下的话,有可能发生热失控,请注意不要使用。
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网友评论

Eways-SiC 2023年11月02日
SiC MOSFET栅极驱动器示例 -  https://www.eechina.com/thread-838162-1-1.html
Eways-SiC 2023年11月27日
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Eways-SiC 2024年02月19日
碳化硅MOS管国产从650V-1200V-1700V-3300V,后续推出6500V。  电子工程网  https://www.eechina.com/thread-826808-1-1.html