ASC300N1200MEP2B碳化硅模块（Easy 2B）获得充电桩模块和PCS青睐
2023年02月02日 17:21 发布者：Eways-SiC
315332ASC300N1200MEP2B碳化硅模块（Easy 2B）特点
1. 采用先进的真空回流焊工艺，Al2O3绝缘陶瓷，最高工作结温150℃；
2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；
3. 适用高温、高频应用；
4. 集成NTC温度传感器，易于系统集成。
网友评论
Eways-SiC 2023年03月13日
SICMOS管 ,sic模块车载OBC，光伏逆变，风能等新能源行业大量采用
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Eways-SiC 2023年03月17日
碳化硅（SiC）现在作为一种成熟的技术，在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业，覆盖工业、能源和汽车等众多领域。
碳化硅（SiC）现在作为一种成熟的技术，在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业，覆盖工业、能源和汽车等众多领域。
Eways-SiC 2023年04月10日
SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
Eways-SiC 2023年05月24日
碳化硅MOS耐压650V-1200V-1700V-3300V 国产https://pan.baidu.com/s/1CDHqtHi3UZ0gTD4qqppY0A提取pvgr
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Eways-SiC 2023年07月17日
FF6MR12W2M1P_B11 拼to拼
FF6MR12W2M1P_B11 拼to拼
Eways-SiC 2023年08月30日
高功率密度，低寄生电感，低开关损耗
高功率密度，低寄生电感，低开关损耗
Eways-SiC 2023年10月26日
碳化硅MOS栅极驱动原理图https://www.eechina.com/thread-838162-1-1.html
碳化硅MOS栅极驱动原理图https://www.eechina.com/thread-838162-1-1.html
Eways-SiC 2023年11月27日
顶起
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Eways-SiC 2024年02月20日
碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点，在电子器件领域有着广泛的应用。
碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点，在电子器件领域有着广泛的应用。
Eways-SiC 2024年11月01日
碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 - 无源器件/分立半导体 - 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-841262-1-1.html
碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 - 无源器件/分立半导体 - 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-841262-1-1.html
集成NTC温度传感器，易于系统集成。