Vishay推出的新款对称双通道MOSFET可大幅节省系统面积并简化设计

节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 6x5F封装减少63%，有助于减少元器件数量并简化设计

Vishay 推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，将高边和低边TrenchFET Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT适用于计算和通信应用功率转换，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化设计。



日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间，同时占位面积比PowerPAIR 6x5F封装双片MOSFET减小63%。MOSFET为USB-C电源笔记本电脑、服务器、直流冷却风扇和通信设备同步降压转换器、负载点（POL）转换电路和DC/DC模块设计人员提供节省空间解决方案。这些应用中，SiZF5302DT高低边MOSFET提供了50%占空比和出色能效的优质效果，特别是在1 A到4 A电流条件下。而SiZF5300DT则是12 A到15 A重载的理想解决方案。

SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型导通电阻分别为2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2.7 m和4.4 m。两款MOSFET 4.5 V条件下典型栅极电荷分别为9.5 nC和 6.7 nC。超低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM），比相似导通电阻的前代解决方案低35 %。高频开关应用效率提高2%，100 W能效达到98%。

与前代解决方案对比


技术规格 / 器件编号SiZF5302DT前代解决方案SiZF5302DT对比前代解决方案
(Gen V)(Gen IV)
封装PowerPAIR 3x3FSPowerPAIR 6x5F63 %↓
VDS (V)3030-
RDS(ON) 典型值4.4 (通道1)4.0 (通道1) -
@ 4.5 V (mW)4.4 (通道2)1.2 (通道2)
Qg @ 4.5 V (nC)6.7 (通道1)11 (通道1)-
6.7 (通道2)46 (通道2)
FOM (mΩ*nC)29 (通道1)44 (通道1)35 % ↓
29 (通道2)54 (通道2)46 % ↓
能效98%96%2 %↑
@ 20 VIN  / 12.5 VOUT /
800 kHZ / 100 W



器件采用倒装芯片技术增强散热能力，独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF5300DT和SiZF5302DT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

器件规格表：


产品编号SiZF5300DTSiZF5302DT
VDS (V)3030
VGS (V)-1.333333333-1.333333333
RDS(on) 典型值 (mΩ) @10 V2.022.7
4.5 V2.934.4
Qg (典型值) @  4.5 V (nC)9.56.7
ID (A) @TA = 25 °C125100
TA = 70  °C10080


SiZF5300DT和SiZF5302DT 现可提供样品并已量产。供货周期信息请与Vishay销售代表联系或发送电子邮件至 pmostechsupport@vishay.com。