外媒：三星计划本月开设NAND闪存新研发中心

来源：全球闪存市场

据外媒《BusinessKorea》8月17日报道，三星预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外，三星还计划在本月开设一个新的研发中心，该中心将负责开发更先进的NAND闪存产品。

自2020年三星推出176层第七代V-NAND闪存之后，三星目前的层数记录是176层。

NAND厂商们正在竞相增加其层数。SK海力士于今年8月初完成了业界最高238层4D NAND闪存研发，并计划在2023H1量产。

美光科技于今年7月宣布，公司已开发出232层NAND闪存产品，产品现已在美光新加坡工厂量产。未来，美光还将发力2YY、3XX与4XX等更高层数。

西部数据与铠侠于去年合作开发出162层的BiCS6 FLASH™ 3D NAND，并计划2022年底前开始量产。未来，西数/铠侠将发力200+层（2XX层）闪存技术，2032年之前还将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上闪存技术。