IMBG65R039M1HXTMA1旨在提高系统性能 650V MOSFET

特征
低 Qrr 和 Qoss
低开关损耗
换向稳健型快速体二极管
先进沟槽技术带来出色的栅极氧化物可靠性
采用 .XT 互连技术，实现卓越的热性能
雪崩能力更强
SMD 封装，可直接集成至 PCB
用于优化开关性能的感测引脚
参数：IMBG65R039M1HXTMA1（IMBG65R039M1H）
电压：650 V
电流：54 A
工作温度：-55 °C ~ 175 °C
功率： 211 W
极性：N
应用：工业
RDS (on) (@ Tj = 25°C) 39 mΩ
概述
IMBG65R039M1H CoolSiC MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。 该器件旨在提高系统性能，缩减尺寸，增强可靠性。
应用
服务器
电信
开关电源 (SMPS)
太阳能系统
储能和电池系统
不间断电源 (UPS)
电动汽车充电
电机驱动器
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