Transphorm推出参考设计组合，加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发

公司内部以及合作开发的七款设计工具可以为45W至140W的 适配器带来高性能650V氮化镓FET的优势

Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布推出七款参考设计，旨在加快基于氮化镓的USB-C PD电源适配器的研发。该参考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，覆盖多种拓扑结构、输出和功率（45W至140W）。



SuperGaN技术的差异化优势

电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势，这些特点已经成为Transphorm氮化镓器件的代名词。在最近的对比分析中，与175毫欧的e-mode氮化镓器件 相比，Transphorm的240毫欧SuperGaN FET在温度超过75℃时显示出更低的导通电阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下拥有更高的性能。

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