直击氮化镓领域的无限可能！

让氮化镓不再神秘，泰克携手英诺赛科一起加速未来科技

近年来一直发力第三代半导体测试解决方案的泰克科技，最近携手英诺赛科一起致力于开发氮化镓的应用未来。未来，双方将携手克服氮化镓更快开关速度、更高开关频率等等一系列挑战，让未来更多优异的氮化镓产品进入更多应用领域，一起为未来科技充电。

当前整个电源产业正发生着深刻的变革，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）为代表的宽禁带半导体技术已经在众多行业中得到了广泛的应用，也给电源的开发测试工作带来了众多的挑战。氮化镓器件栅极电荷和寄生电容小，可实现更快的开关速度和更高的开关频率，同时这也带来了测试的挑战。一方面开通关断速度更快，需要测试到ps级的开关速度，这需要示波器有更高的带宽和共模抑制比；另一方面氮化镓自身的寄生参数非常小，测试探头的连接以及探头电容引入的干扰会导致测量的波形不准确甚至损坏器件，特别是桥式驱动上管测试中，经常遇到驱动信号的准确测试问题。因此高带宽，高共模抑制比，引入寄生参数小是测量氮化镓器件时需要注意的。

近年来，泰克科技始终密切跟踪最新技术的进展，通过和业内领军企业的密切合作来开发针对性的测试方案。基于其性能一枝独秀的光隔离探头以及示波器等产品，泰克为广大电源工程师们提供了卓越的完整测试解决方案。

成立于2015年的英诺赛科，是一家专注于硅基氮化镓研发与制造的IDM企业，率先建立起了全球首条8英寸硅基氮化镓量产线，主要生产30V-150V的低压氮化镓、650V及以上的高压氮化镓，应用于5G基站、工业互联网、数据中心、自动驾驶、5G通讯、快充等领域，在全球氮化镓功率厂商出货量排行榜中名列前三。

英诺赛科通过自主研发，攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓单晶材料的世界级难题，首次实现8英寸硅基氮化镓外延与芯片的大规模量产，同时填补了国内在该领域的空白。氮化镓作为第三代半导体材料，具有宽禁带、高击穿场强、高电子迁移率、高电子饱和漂移速度等特点。这些特点使得氮化镓功率器件栅极电荷和输出电容更小，无反向恢复，单位面积的导通电阻更小等特性。由此可以实现应用系统的高频率、高效率和高功率密度。

凭借优异的物理特性，氮化镓给产业应用带来巨大的系统优势，应用前景非常广阔。随着规模化生产技术成熟，氮化镓将成为未来功率半导体的主流，在消费电子、数据中心、5G基站、新能源车等多个领域，氮化镓需求将迎来爆发式增长。这些应用领域也是泰克近年的业务侧重方向。未来，泰克科技和英诺赛科双方将共同致力于第三代半导体硅基氮化镓芯片的研发与测试，携手克服氮化镓一系列挑战，用创新和科学改变未来。