10/4.5V下导通电阻低至1.0/1.35mΩ的TrenchFET MOSFET（Vishay）

Vishay 推出其新一代TrenchFET Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻低至1.35mΩ，Miller电荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK SO-8和1212-8封装。

新款Vishay Siliconix TrenchFET IV在硅设计、晶圆加工和器件封装上采用了多项技术改进措施，为功率电子系统设计者提供了诸多好处。与前一代器件相比，SiRA00DP的导通电阻与面积乘积减小了60%，在10V电压下实现了1.0mΩ的极低RDS(on)，4.5V下1.35mΩ的导通电阻达到业内最佳水准。对于设计者而言，MOSFET的低导通电阻可以实现更低的传导损耗，减少功率损耗，达到更高的效率。

TrenchFET Gen IV MOSFET采用了一种新型结构，这种结构实现了非常高密度的设计，而没有明显增加栅极电荷，克服了经常在高晶格数量器件上出现的这个问题。今天发布的MOSFET的总栅极电荷较低，使得SiRA04DP在4.5V下导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)降至56nC-Ω。

SiRA00DP、SiRA02DP和SiRA04DP可提高系统效率，降低温度，采用6.15mm x 5.15mm PowerPAK SO-8封装，SiSA04DN的效率与之相近，3.30mm x 3.30mm PowerPAK 1212-8封装的面积只有前三款器件的1/3。今天发布的所有器件的Qgd/Qgs比值仅有0.5或更低。更低的比值可以降低栅极感应电压，有助于防止击穿的发生。



SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN适用于高功率密度DC/DC转换器、同步整流、同步降压转换器和OR-ing应用。典型终端产品包括开关电源、电压调节模块(VRM)、POL、通信砖式电源、PC和服务器。

TrenchFET Gen IV经过了100%的Rg和UIS测试。这些器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定和RoHS指令。

TrenchFET Gen IV系列中所有产品的完整详细数据请访问：http://www.vishay.com/mosfets/trenchfet-gen-iv/。

Vishay Siliconix是业内首家引入Trench MOSFET的供应商。该公司的TrenchFET知识产权包括大量专利，以及可追溯到20世纪80年代早期的基础技术专利。每一代新的TrenchFET技术生产出来的产品都将各种计算、通信、消费电子和其他应用中功率MOSFET的性能指标提高了相当可观的数值。

器件规格表
    型号
      SiRA00DP      SiRA02DP      SiRA04DP      SiSA04DN
       VDS (V)      30      30      30      30       VGS (V)      20      20      20      20       RDS(ON) (Ω)  max.      VGS = 10 V      0.00100      0.00200      0.00215      0.00215       VGS = 4.5 V      0.00135      0.00270      0.00310      0.00310       Qg (nC)      VGS = 4.5 V      66.0      34.3      22.5      22.5       Qgs (nC)      26.0      13.6      8.6      8.6       Qds (nC)      8.6      4.1      4.0      4.0       
      
      
      
      
       封装
      PowerPAK SO-8      PowerPAK SO-8      PowerPAK SO-8      PowerPAK 1212-8  

TrenchFET Gen IV MOSFET现可提供样品，在2012年1季度实现量产，大宗订货的供货周期为十二周。