高能效无线充电功率MOSFET NMLU1210（安森美）
2012年03月22日 09:22 发布者：eechina
安森美半导体(ON Semiconductor) 推出创新的功率MOSFET集成电路(IC)——NMLU1210，用于手机、多媒体平板电脑、便携式媒体播放器(PMP)、数码相机及全球卫星定位系统(GPS)设备等便携产品的无线充电应用。NMLU1210是一款20伏(V) N沟道全桥半同步整流器，集成了支持3.2安培(A)工作的双肖特基势垒二极管和两颗典型导通阻抗(Rds(ON))为17毫欧(mΩ)的MOSFET，将导电损耗降至最低，并大幅提升充电系统的能效。
无线感应充电正在变得更受欢迎，帮助消费者从传统不便利的有线充电方式中解脱出来。无线感应充电的工作原理是产生电磁场，在发射器(位于充电底座)和接收器(位于便携设备)之间快速传输能量。NMLU1210用在接收器端，将发射器产生的交流(AC)电压转换为直流(DC)电压，用于电池充电。这器件采用超低电感、高热效率的封装，专门针对便携电子产品的电源管理任务进行了优化。这紧凑IC非常适合用于空间受限的应用环境。工作结点温度范围为−55 ⁰C至125 ⁰C。
无线充电联盟(Wireless Power Consortium)主席Menno Treffers说：“安森美半导体是无线充电联盟的重要成员。安森美半导体丰富的产品阵容中新增的NMLU1210为业界提供了更多选择，且令在更多应用及产品中运用Qi无线充电标准成为可能。”
封装及价格
NMLU1210采用符合RoHS指令的4.0 mm x 4.0 mm x 0.5 mm µCool封装，每10,000片批量的单价为0.70美元。