ROHM开发出600V耐压Super Junction MOSFET

～产品阵容新增具有低噪声、高速开关和超短反向恢复时间特点的5款新产品～全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出采用SOT-223-3小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”，新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。＜术语解说＞*1) Super Junction MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）MOSFET是晶体管的一种，根据器件结构上的不同又可细分为Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同种类的产品。与Planar MOSFET相比，Super Junction MOSFET能够同时实现高耐压和低导通电阻，在处理大功率时损耗更小。*2) trr：反向恢复时间（Reverse Recovery Time）内置的二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。