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PW8205A6S SOT23-6封装 20V 6A N沟道MOSFET场效应管 低栅极电荷
2023年12月06日 14:13 发布者:百盛电子666
概述
PW8205A6S采用先进的沟槽技术,提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷
以及在低至2.5V的栅极电压下工作。该设备适用于用作电池保护
或在其他交换应用中。功能
VDS=20V,ID=6A
RDS(ON)<21 mQ2@VGS=4.5V
RDS(ON)<27 mQ@VGS=2.5V
提供6引脚SOT23-6封装