碳化硅模块~SiC Module产品简介
2023年09月23日 11:06 发布者：Eways-SiC
SiC模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。更高的开关速度可以转换成更高的开关频率，从而得到更小的磁性过滤器 元件。同时可以降低开关损耗，提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小，从而实现更高的功率密度。289103
为缩小半导体器件使用尺寸，提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期。网友评论
Eways-SiC 2023年11月09日
碳化硅模块 前途无量
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Eways-SiC 2023年12月20日
有AQG-324
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Eways-SiC 2024年01月12日
模块 实现更高的功率密度
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Eways-SiC 2024年02月20日
SiC MOSFET碳化硅半导体栅极驱动以及SiC栅极驱动器示例 - - 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-838162-1-1.html
SiC MOSFET碳化硅半导体栅极驱动以及SiC栅极驱动器示例 - - 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-838162-1-1.html
Eways-SiC 2024年03月11日
碳化硅MOS单管650V-1200V-1700V-3300V-6500V和SiC MODULE介绍。电子工程网 - https://www.eechina.com/thread-821142-1-1.html
碳化硅MOS单管650V-1200V-1700V-3300V-6500V和SiC MODULE介绍。电子工程网 - https://www.eechina.com/thread-821142-1-1.html
Eways-SiC 2024年03月27日
碳化硅MOS管-SiC MODULE产品技术应用简介https://pan.baidu.com/s/1YVCvtntZntvY2XDpC5uuFw提取码g4yd
国产碳化硅MOS电压650V-1200V-1700V-3300V，电流1A-150A
碳化硅MOS管-SiC MODULE产品技术应用简介https://pan.baidu.com/s/1YVCvtntZntvY2XDpC5uuFw提取码g4yd
国产碳化硅MOS电压650V-1200V-1700V-3300V，电流1A-150A
实现更高的功率密度，可靠性和效率。