SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品

来源：全球半导体观察

SK海力士今日宣布，通过321层4D NAND样品的发布，正式成为业界首家正在开发300层以上NAND闪存的公司。

SK海力士于当地时间8日，在美国加利福尼亚州圣克拉拉举办的“2023闪存峰会”* (Flash Memory Summit, FMS)上，公布了321层1Tb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存开发的进展，并展示了现阶段开发的样品。



* 闪存峰会(Flash Memory Summit, FMS): 每年定期在美国加州圣克拉拉举办的全球闪存芯片领域最高级别研讨会。

* NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量（比特,bit）可分为SLC(Single level Cell)、MLC （Muti Level Cell）、TLC（Triple Level Cell）、QLC（Quadruple Level Cell）、PLC（Penta Level Cell）等规格。单元信息存储容量越大，意味着单位面积可以储存的数据越多。

作为业界首家公布300层以上NAND具体开发进展的公司，SK海力士宣布，将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半期开始量产。

“以正在量产的最高级238层NAND积累的技术经验为基础，公司正在有序进行321层NAND的研发”，SK海力士相关负责人表示，“SK海力士将再次突破堆栈层数, 迎接300层NAND时代，继续引领市场。

321层1Tb TLC NAND的效率比上一代238层512Gb提高了59%。这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高，在相同芯片上实现更大存储容量，进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

近期，随着Chat GPT引发的生成型AI市场的需求增长，存储更多数据的高性能、高容量存储器需求也在急剧增加。

本次活动中，SK海力士还推出了针对这些需求而进行优化的下一代NAND产品解决方案：采用PCIe 5(Gen5)接口的企业级固态硬盘 (Enterprise SSD, eSSD)及UFS 4.0。

公司希望借助这些能够达到世界级领先性能的产品，充分满足追求高性能客户的需求。

SK海力士还表示，公司在目前积累的产品技术和不断优化企业内部解决方案的基础上，正在积极开发下一代PCI 6.0和UFS 5.0产品，以致力于在未来继续引领市场。

SK海力士NAND闪存开发担当副社长崔正达在发表主题演讲时表示：“我们以通过开发第五代4D NAND 321层闪存产品，巩固品牌在NAND技术领域的领先地位”。“公司将积极推出人工智能时代所需的高性能、大容量NAND产品，继续引领行业”。