N 通道NTBG014N120M3P、NTHL022N120M3S 1200V碳化硅（SiC）MOSFET

明佳达电子有限公司/星际金华（回收、供应）N 通道NTBG014N120M3P、NTHL022N120M3S 1200V碳化硅（SiC）MOSFET器件，如有需求，欢迎联系陈先生qq 1668527835 咨询详谈。



1、NTBG014N120M3P碳化硅 (SiC) MOSFET是1200V M3P平面SiC MOSFET系列的一部分。ON MOSFET优化用于电源应用。该平面技术可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。该系列在使用18V栅极驱动时具有最佳性能，但也可与15V栅极驱动配合使用。
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：104A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 74A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.63V @ 37mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：337 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6313 pF @ 800 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：454W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：D2PAK-7

2、NTHL022N120M3S EliteSiC碳化硅MOSFET是一款1200V、M3S平面器件，针对快速开关应用进行了优化。平面技术可靠地与负栅极电压驱动一起工作，并消除了栅极上的尖峰。该器件在使用18V栅极驱动器驱动时具有最佳性能，但也适用于15V栅极驱动器。NTHL022N120M3S采用TO-247-3L封装，非常适合工业、UPS/ESS、太阳能和电动汽车充电器应用。
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：68A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 40A， 18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：139 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3130 pF @ 800 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：352W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247-3