新品SCTL90N65G2V、SCTL35N65G2V（650V）碳化硅功率MOSFET

深圳市明佳达电子/星际金华（回收、供应）SCTL90N65G2V、SCTL35N65G2V（650V）碳化硅功率MOSFET器件，如有需求，请联系陈先生qq 1668527835 洽谈。



产品详情：
该碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。



特性：
汽车级 (AG) 设备
超高温处理能力（最大TJ=200°C）
非常低的开关损耗（随温度变化最小），允许在超高开关频率下工作
温度范围内的低导通电阻
易于驱动
非常快速和强大的本体二极管




SCTL90N65G2V 器件规格：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 欧姆 @ 40A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：157 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3380 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：935W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳：8-PowerVDFN




SCTL35N65G2V 技术参数：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：67毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：73 nC @ 20 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1370 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：417W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳：8-PowerVDFN
基本产品编号：SCTL35




应用：
太阳能逆变器，UPS
电机驱动
高压DC-DC转换器
开关电源



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