Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性

器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低

Vishay推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。



日前发布的新一代SiC二极管包括4A至40A器件，采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构，器件正向压降比上一代解决方案低0.3V，正向压降与电容电荷乘积，即电源能效重要优值系数（FOM），相比上一代解决方案降低17%。

与接近的竞品解决方案相比，二极管室温下典型反向漏电流低30%，高温下低70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。

与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响，可在+175 C高温下工作，不会因开关损耗造成能效变化。

器件典型应用包括发电和勘探应用领域FBPS和LLC转换器中的AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流。器件具有高可靠性，符合RoHS标准，无卤素，通过2000小时高温反偏（HTRB）测试和2000次热循环温度循环测试，测试时间和循环次数是AEC-Q101规定的两倍。



    产品编号    IF(AV)  (A)  IFSM  (A)  IF  下VF (V)  QC  (nC)  配置  封装
  VS-3C04ET07S2L-M3  4  29  1.5  12  单  D2PAK  2L
  VS-3C06ET07S2L-M3  6  42  1.5  17  单  D2PAK  2L
  VS-3C08ET07S2L-M3  8  54  1.5  22  单  D2PAK  2L
  VS-3C10ET07S2L-M3  10  60  1.46  29  单  D2PAK  2L
  VS-3C12ET07S2L-M3  12  83  1.5  34  单  D2PAK  2L
  VS-3C16ET07S2L-M3  16  104  1.5  44  单  D2PAK  2L
  VS-3C20ET07S2L-M3  20  110  1.5  53  单  D2PAK  2L
  VS-3C04ET07T-M3  4  29  1.5  12  单  TO-220AC 2L
  VS-3C06ET07T-M3  6  42  1.5  17  单  TO-220AC 2L
  VS-3C08ET07T-M3  8  54  1.5  22  单  TO-220AC 2L
  VS-3C10ET07T-M3  10  60  1.46  29  单  TO-220AC 2L
  VS-3C12ET07T-M3  12  83  1.5  34  单  TO-220AC 2L
  VS-3C16ET07T-M3  16  104  1.5  44  单  TO-220AC 2L
  VS-3C20ET07T-M3  20  110  1.5  53  单  TO-220AC 2L
  VS-3C16CP07L-M3  2 x 8  54  1.5  22  共阴极  TO-247AD 3L
  VS-3C20CP07L-M3  2 x 10  60  1.46  29  共阴极  TO-247AD 3L
  VS-3C40CP07L-M3  2 x 20  110  1.5  53  共阴极  TO-247AD 3L


新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为八周。