嵌入式工艺技术

    工艺技术而言，当前的嵌入式内核基于45 纳米，不久的将来将采用 28 纳米技术，其尺寸比其前身 65 纳米技术有所减小。这种更小的工艺技术提供的是更小的晶体管。更小的晶体管消耗更少的功率并产生更少的热量，因此与它们的前身相比具有明显的优势。
    较小的工艺技术通常还可以实现更高的时钟频率，这显然是一个优势，可以提供更多的处理能力，但更高的频率和更高的电压是以更高的功耗为代价的。电压是其中明显的，正如我们在物理学（和 EE101）中了解到的那样，功率是电压乘以电流的乘积。因此，如果设备需要大电压供应，功耗增加是不可避免的。
    在继续讨论P=V*I的主题时，频率也是该等式的直接部分，因为电流是时钟速率的直接结果。我们在物理和 EE101 中学到的另一件事：当在电容器两端施加电压时，电流将从电压源流向电容器，直到电容器达到等效电位。
    虽然这是一种过度简化，但我们可以想象内核中的时钟网络以这种方式消耗功率。因此，在每个时钟边沿，当电势发生变化时，电流会流过器件，直到达到下一个稳定状态。时钟切换得越快，流过的电流就越多，因此更快的时钟意味着嵌入式处理器消耗的功率更多。根据设备的不同，时钟电路负责消耗 50% 到 90% 的动态设备功率，因此控制时钟是这里将重点讨论的主题。
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