ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET

非常有助于提高无线耳机和可穿戴设备等小而薄设备的效率和运行安全性！全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款小型且高效的20V耐压Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，该产品非常适用于可穿戴设备、无线耳机等可听戴设备、智能手机等轻薄小型设备的开关应用。
＜新产品的主要特性＞
＜应用示例＞◇无线耳机等可听戴设备◇智能手表、智能眼镜、运动相机等可穿戴设备◇智能手机此外，还适用于其他各种轻薄小型设备的开关应用。＜电商销售信息＞起售时间：2022年11月开始网售平台： Oneyac，Sekorm在其他电商平台也将逐步发售。https://img2.danews.cc/upload/doc/20221201/63883c194099f.png
＜术语解说＞*1) Nch MOSFET通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。相比Pch MOSFET，其漏源间的导通电阻更小，因此可减少常规损耗。*2) 晶圆级芯片尺寸封装一种在整片晶圆上形成引脚并进行布线等，然后再切割得到单个成品芯片的超小型封装形式。与将晶圆切割成单片后通过树脂模塑形成引脚等的普通封装形式不同，这种封装可以做到与内部的半导体芯片相同大小，因此可以缩减封装的尺寸。*3) 导通电阻MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的损耗（功率损耗）越少。*4) Qgd（栅极-漏极间电荷量）MOSFET开始导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小，开关速度越快，开关时的损耗（功率损耗）越小。