大功率氮化镓芯片NV6128，NV6127，NV6125，NV6123，NV611：电源开关/驱动器 通道 20A 30-QFN

大功率氮化镓芯片NV6128，NV6127，NV6125，NV6123，NV611：电源开关/驱动器 通道 20A 30-QFN

规格：
开关类型：通用
输出数：1
比率 - 输入:输出：1：1
输出配置：高压侧或低压侧
输出类型：N 通道
接口：PWM
电压 - 负载：650V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：10V ~ 24V
电流 - 输出（最大值）：20A
导通电阻（典型值）：70 毫欧
输入类型： 非反相
工作温度：-40°C ~ 125°C（TC）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：30-QFN（6x8）
封装/外壳：30-PowerVQFN

描述：
是流行的 650 V GaNFast™ 电源 IC 的热增强版本，针对高频和软开关拓扑进行了优化。
FET、驱动器和逻辑的单片集成创建了一个易于使用的“数字输入、电源输出”高性能动力系统构建块，使设计人员能够创建世界上最快、最小、最高效的集成动力系统。
最高的 dV/dt 抗扰度、高速集成驱动和行业标准的薄型、低电感、6 x 8 mm SMT QFN 封装允许设计人员利用简单、快速、可靠的解决方案来利用 Navitas GaN 技术，以实现突破性的功率密度和效率。

特点：
GaNFast™ 电源 IC
大冷却垫
使用 CS 电阻时增强散热
单片集成栅极驱动器
宽 VCC 范围（10 至 30 V）
可编程开启 dV/dt
源开尔文接地
200 V/ns dV/dt 抗扰度
800 V 瞬态电压额定值
650 V 连续额定电压
低 70 mΩ 电阻
零反向恢复电荷
ESD 保护 – 2 kV (HBM)、1 kV (CDM)
2 兆赫操作
小型、薄型 SMT QFN
6 x 8 毫米占位面积，0.85 毫米轮廓
最小化封装电感
可持续性
RoHS、无铅、符合 REACH 标准
与 Si 解决方案相比，节能高达 40%
系统级 4kg CO2 碳足迹减少

应用：
交流-直流、直流-直流、直流-交流
QR 反激、PFC、AHB、降压、升压、半桥、全桥、LLC 谐振、D 类
无线电源、太阳能微型逆变器、LED 照明、电视开关电源、服务器、电信

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