大功率igbt静态参数测试平台

IGBT简介：
IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率器件，期间经常使用在强电流高电压的场景中，如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成，兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点，IGBT是电力电子设备的“cpu”，被国家列为重点研究对象。
IGBT测试难点：1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。4、由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显，脉冲测试可以减少自加热效应，所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用于评估期间的自加热特性。5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。6、IGBT开关特性非常重要，需要进行双脉冲动态参数的测试。
大功率igbt静态参数测试平台认准武汉生产厂家普赛斯仪表，普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。https://img78.chem17.com/2/20210519/637570132538642794610.jpghttps://img78.chem17.com/2/20210519/637570132528346662777.jpghttps://img78.chem17.com/2/20210519/637570132529594678263.jpg


大功率igbt静态参数测试平台简介
功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。产品特点
[*]高电压：支持高达3KV高电压测试；
[*]大电流：支持高达4KA大电流测试；
[*]高精度：支持uΩ级电阻、pA级电流、uV级精准测量；
[*]丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
[*]配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；
[*]数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；
[*]模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；
[*]可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；
[*]可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；技术指标
https://img76.chem17.com/9/20220125/637787273807119707392.jpghttps://img76.chem17.com/9/20220125/637787273807275706397.jpg大功率igbt静态参数测试平台应用功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；