国产SRAM厂家伟凌创芯

物联网及穿戴设备还未出世前，Serial SRAM并不能吸引主流到SRAM厂商的关注。随着串行SRAM的商机不断增多，传统的SRAM厂商进军串行SRAM领域的逐渐增多。容量和带宽将是两大推动力。

大吞吐量、小巧的串行接口SRAM芯片带来了无限的可能性。它最终有可能成为众多电路板上当代嵌入式SRAM和并行SRAM的全财产继承者。

国产SRAM厂商安徽伟凌创芯微电子有限责任公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注SRAM存储芯片、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售。拥有国际知名设计专家及工作经验丰富工程师研发团队，与国内知名前后道生产合作伙伴紧密合作。为行业客户提供高品质、低成本，供货持续稳定的自主知识产权的集成电路产品，产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。

EMI串行接口的SRAM，外扩SRAM可以通过使用SPI的接口来将外部RAM添加到几乎所有应用中。串行访问的静态随机存取存储器采用先进的CMOS技术进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。采用单芯片选择（/ CS）输入进行操作，并通过与SPI兼容的简单串行接口进行访问。可在-40℃至+ 85℃（工业级）的温度范围内工作。

并口SRAM芯片可作为强大微处理器的主缓存使用， 通常仅以375mW的功率工作。低功耗提供了电池备份数据保留功能，器件采44TSOP2引脚封装，供电电压VCC的范围为2.7~3.6V，属于普通主板都能提供的弱电输入电压。

其作为SRAM最大的特点就是在主机断电后，仍能通过由电池供电，继续保存已经存储在芯片中的数据，并且其数据保存所需的电压VDR降低到1.5V最低，而所需的电流IDR更是低至4μA最大值，SRAM芯片相比DRAM的优点在于不需要刷新电路就能保存内部存储的数据，而且更为快速、低功耗。读写延时在45/55ns左右，可谓是响应极其迅速的一款产品，适合用在需高速数据传输的设备当中。

EMI伟凌创芯SRAM芯片采用先进的全CMOS工艺技术制造，位宽为8/16位异步低功耗SRAM芯片，支持宽电压范围2.3V〜5.5V，同时支持商业及工业温度范围，封装采用标准44TSOP2，48BGA，其RAM产品具备高性能，高可靠性，高存储密度等特性，广泛应用于办公自动化，人工智能，工控设备，POS设备，通讯通信行业等。