Vishay推出具有超低电容的两线ESD保护二极管

器件超低电容典型值仅为0.37 pF，可为商用和汽车应用提供端口保护

Vishay推出小型可润湿侧翼DFN1110-3A封装新款双向对称（BiSy）两线ESD保护二极管---VBUS05M2-HT5。Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT5比SOT封装解决方案节省空间，具有超低电容和漏电流，可保护高速数据线免受瞬变电压信号的影响。



日前发布的器件典型负载电容仅为0.37 pF，适用于USB 2.0、USB 3.0以及HDMI端口保护等商业应用。对于汽车应用，VBUS05M2-HT5还提供AEC-Q101认证版器件。这个保护二极管在 5.5 V工作电压下的最大漏电流小于0.1 μA，在1 mA反向电流条件下典型击穿电压为8.5 V，在3.4 A峰值脉冲电流条件下最高钳位电压为18 V。

VBUS05M2-HT5数据线瞬态保护达到IEC 61000 4 2规定的± 20 kV（空气和接触放电）。器件潮湿敏感度（MSL）达到J-STD-020标准1级，耐火等级达到UL 94 V-0。保护二极管符合RoHS和 Vishay绿色标准，无卤素，支持汽车系统自动光学检测（AOI）。

器件规格表：

       产品订货编号  封装  类型  VRWM  电容
  VBUS05M2-HT5-G3-08  DFN1110-3A  商用  ± 5.5 V  0.45 pF
  VBUS05M2-HT5HG3-08  DFN1110-3A  AEC-Q101  ± 5.5 V  0.45 pF

VBUS05M2-HT5现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为12周。