8A30V耐压MOS管 n沟道 场效应管（MOSFET）

型号:HC3600M
参数：30V 8A
类型：N沟道场效应管
内阻22mR
低结电容445pF
封装：贴片（SOT23-3）
低开启电压1.5V
低结电容，低内阻，低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
应用领域：电脑主板、蓝牙音响、大电流RGB灯带调光、LED车灯、手机无线充、逆变系统
主要应用：灯带、加湿器、小家电、车灯远近光切换

【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等
惠海半导体专业从事30-150V中低压MOS管的设计、研发、生产与销售，性价比高，量产稳定成熟，提供方案及技术支持。惠海半导体MOS管采用SGT工艺，性能优越，品质好，具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。