国产8mb psram推荐EMI108NA16LM

2021年04月08日 15:44    发布者:英尚微电子
pSRAM与SRAM相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.PSRAM就是伪SRAM,内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似,但外部的接口跟SDRAM不同,不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制,PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。PSRAM 内部自带刷新机制。PSRAM容量有4Mb,8Mb,16Mb,32Mb,64Mb, 128Mb等等。下面EMI代理英尚微电子介绍一款型号为EMI108NA16LM的国产8mb psram。

EMI108NA16LM该器件是使用DRAM型存储单元的完整COMS SRAM,但是该器件具有无刷新操作和极低的功耗技术。此外该接口与低功耗异步型SRAM兼容。其工艺技术采用全CMOS,位宽512K x 16,电源电压范围为2.7~3.3V,三态输出和TTL兼容,包装类型采用48-FBGA-6.00x8.00毫米,分离的I/O电源(VCCQ)和核心电源(VCC),取消选择时自动关机。


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231305

关于EMI
EMI是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注于利基市场(Niche market)专用芯片/小型SOC芯片及SRAM/PSRAM的整体解决方案,第一代产品涉及千兆/万兆USB网口芯片以及音视频接口芯片。提供创新、高品质、高性价比、 供货持续稳定的芯片。产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。


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网友评论

英尚微电子 2021年04月08日
PSRAM 内部自带刷新机制。PSRAM容量有4Mb,8Mb,16Mb,32Mb,64Mb, 128Mb等等。下面EMI代理英尚微电子介绍一款型号为EMI108NA16LM的国产8mb psram。
英尚微电子 2021年04月08日
EMI108NA16LM该器件是使用DRAM型存储单元的完整COMS SRAM,但是该器件具有无刷新操作和极低的功耗技术。此外该接口与低功耗异步型SRAM兼容。其工艺技术采用全CMOS,位宽512K x 16,电源电压范围为2.7~3.3V,三态输出和TTL兼容,包装类型采用48-FBGA-6.00x8.00毫米,分离的I/O电源(VCCQ)和核心电源(VCC),取消选择时自动关机。