Vishay推出新型650 V SiC肖特基二极管，提升高频应用能效

器件额定电流4 A~40 A，采用MPS结构设计，降低开关损耗和温变影响

Vishay推出十款新型650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，通过降低开关损耗提升高频应用能效，不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。



日前发布的MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场，减少漏电流，同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比，新型二极管处理电流相同的情况下，正向压降仅略有上升，坚固程度明显提高。

器件适用于服务器、电信设备、UPS和太阳能逆变器等应用领域的功率因数校正（PFC）续流、升降压续流和LLC转换器输出整流，为设计人员实现系统优化提供高灵活性。二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装，额定电流为4 A~40 A，可在+175 C高温下工作。

器件规格表：

    产品编号  IF(AV) (A)  VRRM  25 °C, 10 ms下IFSM  IF和TJ下VF  (典型值)  TJ最大值 (°C)  封装
  (V)  (A)  VF (V)  IF (A)  TJ (°C)
  VS-C04ET07T-M3  4  650  26  1.75  4  150  175  2L TO-220AC
  VS-C06ET07T-M3  6  650  39  1.7  6  150  175  2L TO-220AC
  VS-C08ET07T-M3  8  650  57  1.7  8  150  175  2L TO-220AC
  VS-C10ET07T-M3  10  650  68  1.75  10  150  175  2L TO-220AC
  VS-C12ET07T-M3  12  650  80  1.65  12  150  175  2L TO-220AC
  VS-C16ET07T-M3  16  650  120  1.65  16  150  175  2L TO-220AC
  VS-C20ET07T-M3  20  650  160  1.6  20  150  175  2L TO-220AC
  VS-C16CP07L-M3  16  650  53  1.7  8  150  175  TO-247AD 3L
  VS-C20CP07L-M3  20  650  64  1.75  10  150  175  TO-247AD 3L
  VS-C40CP07L-M3  40  650  160  1.55  20  150  175  TO-247AD 3L


新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为10周。