Memory电路设计

NO.530-【猎头职位：深圳/南京/上海/西安/成都/武汉/长沙需要若干  Memory电路设计】联系人：Ted-Han,邮箱：hr@kthr.com，微信也可查询职位了！打开手机微信，搜号码“KTHR_COM”或查找微信公众帐号“KT人才”或扫描以上二维码即可添加，欢迎大家关注！岗位职责：1、负责定制SRAM Instance电路设计，满足High Speed/Low Power/High Density的定制要求；2、负责SRAM Compiler电路设计及全流程交付；3、负责晶体管级电路仿真及性能验证并分析Memory的功能、性能；4、负责指导版图工程师优化版图布局和结构；5、设计Memory的 verilog功能模型并进行验证；6、进行IP 特性化分析及模型到硬件的参数校准；7、负责配合流片后的测试验证。 岗位要求：1、微电子相关专业本科及以上学历，5年以上Memory设计相关工作经验；2、熟悉Memory电路设计，包括SRAM/DRAM/Flash/RF/TCAM/ROM等，精通先进半导体工艺制程和器件物理；3、熟悉EDA仿真工具的使用包括Hspice,Spetre,HSIM,Finesim等等；4、了解Memory版图；5、熟悉SRAM Memory良率分析；6、具备FinFET设计经验者优先；7、具备Memory Characterization经验者优先；8、具备标准单元库或模拟电路设计经验可以考虑。 福利：五险一金  员工福利  加班补贴