低功率应用双PQFN2x2 和双PQFN3.3x3.3功率MOSFET（IR）

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其PQFN封装系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET MOSFET，为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案，这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充电器、笔记本电脑、服务器、网通设备等。

新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3双器件在每一个封装上都配备了一对功率MOSFET， 提供共汲极和半桥拓扑的灵活性。这些器件利用IR最新的低压硅技术 (N和P) 来实现超低损耗。例如，IRLHS6276在只有4 mm2 的范围内，配备了两个典型导通电阻 (RDS(on)) 均为33mΩ的MOSFET。



这个双PQFN系列包括专为高侧负荷开关优化的P通道器件，可提供更为简便的驱动解决方案。这些器件的封装厚度不到1 mm，与现有的表面贴装技术相兼容，并且拥有符合行业标准的占位空间，也符合电子产品有害物质管制规定  (RoHS) 。

产品规格
    器件编号
      封装
      BV (V)      最大Vgs
      在10V下的

  典型/最大导通电阻  (mΩ)

      在4.5V下的

  典型/最大导通电阻 (mΩ)

      在2.5V下的

  典型/最大导通电阻

(mΩ)

       IRFHS9351

      PQFN  2x2
      -30V
      +/- 20 V
      135 / 170
      235 /
290
      -       IRLHS6276

      PQFN  2x2
      +20V
      +/- 12 V
      -      33 / 45
      46 / 62
       IRLHS6376

      PQFN  2x2
      +30V
      +/- 12 V
      -      48 / 63
      61 / 82
       IRFHM8363

      PQFN  3.3x3.3
      +30V
      +/- 20 V
      12/15      16 / 21      -  

有关产品现正接受批量订单。相关数据和MOSFET产品选型工具请浏览IR 的网站 www.irf.com。