MRAM与常用计算机内存的性能比较

新千年信息怎样储存?又需要如何传输?MRAM芯片是磁阻随机存取存储器。1989年巨磁阻现像的发现及随后几年巨磁阻材料的开发,直至巨磁阻磁头GMR的制成与应用都为MRAM存储器研究开发奠定了基础。

1995年美国国防部高级研究计划署)为IBM、摩托罗拉及好莱坞等三家大企业提供基金进行高密、高速低耗MRAM芯片的开发,其技术指标及产品目标要求如下:

技术指标:
具有sram芯片的随机存取速率;
具有DRAM芯片的大容量存储密度;
具有EEPROM芯片存入数据的非易失性。

产品目标:
取代计算机的DRAM内存，
取代手机的EEPROM闪存。

表1列出MRAM芯片与目前常用的几种计算机内存SRAM、DRAM及闪存的性能比较。

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表1SRAM、DRAM、EEPROM 及 MRAM的性能比较

由上述表中的四种内存只有MRAM能同时满足计算机内存的四项要求:非易失性、随机存取速率高、数据存储密度高以及耗电功率低等。因此美、日、欧等发达国家都很重视这项新技术,投巨资加速MRAM产品的商业化。


Everspin MRAM型号表

型号容量位宽电压(V)温度封装MOQ /托盘MOQ /卷带
MR25H40CDC4Mb512Kx83.3V-40℃to+85℃8-DFN5704,000
MR20H40CDF4Mb512Kx83.3V-40℃ to +85℃8-DFN sf5704,000
MR25H40CDF4Mb512Kx83.3V-40 ℃to +85℃8-DFN sf5704,000
MR25H40MDF4Mb512Kx83.3V-40℃ to +125℃8-DFN sf5704,000
MR25H10CDC1Mb128Kx83.3V-40℃ to +85℃8-DFN5704,000
MR25H10MDC1Mb128Kx83.3V-40℃ to +125℃8-DFN5704,000
MR25H10CDF1Mb128Kx83.3V-40℃ to +85℃8-DFN sf5704,000
MR25H10MDF1Mb128Kx83.3V-40℃ to +125℃8-DFN sf5704,000
MR25H256CDC256Kb32Kx83.3V-40℃ to +85℃8-DFN5704,000
MR25H256MDC256Kb32Kx83.3V-40℃ to +125℃8-DFN5704,000
MR25H256CDF256Kb32Kx83.3V-40℃ to +85℃8-DFN sf5704,000
MR25H256MDF256Kb32Kx83.3V-40℃ to +125℃8-DFN sf5704,000