为应用选择合适的同步高速SRAM
2020年08月03日 14:28 发布者：宇芯电子
正确的同步静态随机存取存储器（SRAM）的选择对于带宽要求更高，系统性能更好的网络应用至关重要。系统设计人员需要了解不同同步SRAM技术的特性和优势，以便为其应用选择正确的存储器。决定正确的同步SRAM选择的一些关键因素是密度，等待时间，速度，读/写比和功率。通过了解这些因素如何影响性能，可靠性和成本，设计人员可以为其应用选择最佳的同步SRAM。宇芯电子专注代理销售SRAM，异步SRAM，同步SRAM,PSRAM等存储芯片，提供产品技术支持及解决方案。
同步高速SRAM有多种形式，具有不同的性能特征和优势。标准同步SRAM通常用于工业电子，仪器仪表和军事应用。这些设备通常用作数据缓冲区（临时存储），并且可以通过它们的高速，单数据速率（SDR）接口随机访问。标准同步突发SRAM非常适合占主导地位的读取或写入操作。客户可以在具有用户可选的线性和交错突发模式以及单周期取消选择（SCD）和双周期取消选择（DCD）选项的直通（FT）或流水线（PL）体系结构之间进行选择。
存储器选择：关键因素
选择同步高速SRAM存储器的主要考虑因素之一是数据带宽，数据带宽随同步SRAM的不同类型而变化。为了进行计算，已考虑了最大时钟频率和x36的总线宽度。
同步SRAM存储器选择的另一个因素是功率效率。由于电源电压较低，与标准同步高速SRAM相比，QDR / DDR器件的功耗更低。表1概述了决定内存选择的其他因素：
https://www.wridy.com/uploadfile/2020/0731/20200731110854951.jpg
表1：存储器选择概述（注意：QDRII +和DDRII +选项随ODT和不随ODT一起提供。）
提供了各种各样的同步高速SRAM。通过了解可用的不同类型的内存，系统设计人员可以为其应用选择正确的同步内存选项。
VTI 同步SRAM
型号容量位宽温度类型电压(V)频率(MHz)封装包装状态
VTI304NP36TM4M bit128K x 36C,ISync Pipe Burst3.3250100TQFPTrayMP
VTI304NP18TM4M bit256K x 18C,ISync Pipe Burst3.3250100TQFPTrayMP
VTI309NP36TM9M bit256K x 36C,ISync Pipe Burst3.3250100TQFPTrayMP
VTI309NP18TM9M bit512K x 18C,ISync Pipe Burst3.3250100TQFPTrayMP
VTI318NP36TM18M bit512K x 36C,ISync Pipe Burst3.3250100TQFPTrayMP
VTI318NP18TM18M bit1M x 18C,ISync Pipe Burst3.3250100TQFPTrayMP
VTI336NP36TM36M bit1M x 36C,ISync Pipe Burst3.3250100TQFPTrayMP
VTI336NP18TM36M bit2M x 18C,ISync Pipe Burst3.3250100TQFPTrayMP
网友评论
宇芯电子 2020年08月03日
标准同步突发SRAM非常适合占主导地位的读取或写入操作。客户可以在具有用户可选的线性和交错突发模式以及单周期取消选择（SCD）和双周期取消选择（DCD）选项的直通（FT）或流水线（PL）体系结构之间进行选择。
标准同步突发SRAM非常适合占主导地位的读取或写入操作。客户可以在具有用户可选的线性和交错突发模式以及单周期取消选择（SCD）和双周期取消选择（DCD）选项的直通（FT）或流水线（PL）体系结构之间进行选择。
同步高速SRAM有多种形式，具有不同的性能特征和优势。标准同步SRAM通常用于工业电子，仪器仪表和军事应用。这些设备通常用作数据缓冲区（临时存储），并且可以通过它们的高速，单数据速率（SDR）接口随机访问。