关于召开“第三代半导体技术、材料、设备与市场论坛2020”的通知

与第一代和第二代相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力，更适合制造耐高温、高压的大功率及高频器件，目前公认最具代表性的是SiC和GaN材料。
特斯拉Model 3逆变器采用意法半导体的全SiC功率模块，之后，越来越多的车企都计划在主逆变器上应用SiC器件。2019年SiC器件市场约为5亿美元，预计市场年均增速将高达40%，目前主要由英飞凌、意法、罗姆等国外厂商占据。国内SiC产业投资热度高涨，已披露的投资项目约20个，覆盖从衬底到功率模块全产业链，投资金额达300亿元。
GaN在5G宏基站和毫米波小基站以及快充市场中获得应用。由于高频下具有较高的输出功率和效率，GaN在射频领域应用较多。2020年2月，小米推出65W GaN充电器，从0充电至100%仅需45分钟，引发市场热捧。2019年GaN器件市场约为0.8亿美元，预计年增速也高达40%。目前GaN射频市场主要由Cree、Macom、Intel等占据，功率市场有英飞凌、Transphorm等。近来年，国内企业如三安集成、海威华芯等也在积极布局GaN项目。
后疫情时期，随着中国政府推动的新基建产业兴起，5G、新能源汽车、消费电子等行业的快速发展，SiC和GaN产业和相关企业将迎来空前的发展机遇。
第三代半导体技术、材料、设备与市场论坛2020拟定于9月8-9日在厦门召开。会议将由亚化咨询主办，多家国内外龙头企业重点参与。
有关事宜通知如下：
一、   研讨会议题：
1.   全球与中国第三代半导体市场及产业发展机遇2.   中国第三代半导体产业政策与项目规划3.   第三代半导体技术发展趋势4.   SiC PVT长晶技术&液相法的现状及发展5.   新基建相关产业对第三代半导体及材料的需求6.   SiC市场以及技术发展难题&解决方案7.   GaN射频器件及模块在5G基站方面的应用8.   GaN在快充市场中的发展及替代情况9.   第三代半导体国产化与技术及设备发展机遇与挑战10.     其他化合物半导体，如GaAs等11.     工业参观与考察
二、   时间：2020年9月8-9日
三、   会议地点：厦门五缘湾凯悦酒店
四、   报到时间：2020年9月7日  17：00-20：00
五、   会议注册费和回执，请联系：陈经理：021-68726606-109/13701609248（微信同号）或 Joanna_chen@chemweekly.com或填写表单预报名：http://idepwa1pt9m7lqzd.mikecrm.com/lMNIpvd