东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率

–进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线–

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。


U-MOS X-H系列产品示意图

新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。

由于采用了其最新一代的工艺制造技术，与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性之间的平衡也得到了进一步的改善。因此，新产品可提供业界最低功耗。

东芝正在扩展其降耗型产品线，从而为降低设备功耗提供帮助。

应用：

[*]开关电源（高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等）
[*]电机控制设备（电机驱动等）

特性：

[*]业界最低功耗（通过改善导通电阻与栅极电荷特性之间的平衡）
[*]业界最低导通电阻：
                RDS(ON)=2.43mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPH2R40QM）
                RDS(ON)=19mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPN19008QM）

[*]高额定通道温度：Tch=175℃

主要规格：
（除非另有说明，@Ta＝25℃）


器件型号TPH2R408QMTPN19008QM
绝对漏源电压VDSS（V）8080
最大漏极电流（DC）ID（A）@Tc=25℃12034
额定值通道温度Tch（℃）175175
电气漏源导通电阻@VGS=10V2.4319
特性RDS(ON)最大值（mΩ）@VGS=6V3.528
　总栅极电荷（栅源+栅漏）8716
　Qg典型值（nC）
　栅极开关电荷Qsw典型值（nC）285.5
　输出电荷Qoss典型值（nC）9016.5
　输入电容Ciss典型值（pF）58701020
封装名称SOP AdvanceTSON Advance
尺寸典型值（mm）5.0×6.03.3×3.3
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