东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。


MOSFET产品图

新产品是东芝首款采用紧凑型SOP Advance（WF）封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗；XPH4R10ANB拥有业界领先的低导通电阻。

应用：
・汽车设备
电源装置（DC-DC转换器）和LED头灯等（电机驱动、开关稳压器和负载开关）

特性：
・东芝的首款100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance（WF）封装
・通过AEC-Q101认证
・低导通电阻：
RDS(ON)=4.1mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH4R10ANB）
RDS(ON)=6.3mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH6R30ANB）
・采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance（WF）封装

主要规格：
（除非另有说明，@Ta=25°C）

    器件型号  XPH4R10ANB  XPH6R30ANB
  极性  N沟道
  绝对最大额定值  漏源极电压  100
  VDSS
  （V）
  漏极电流  70  45
  （DC）
  ID
  （A）
  漏极电流  210  135
  （脉冲）
  IDP
  （A）
  沟道温度  175
  Tch
  （℃）
  漏源极导通电阻  @VGS=6V  6.2  9.5
  RDS(ON)最大值
  （mΩ）  @VGS=10V  4.1  6.3
  沟道至外壳热阻  0.88  1.13
  Zth(ch-c)
  最大值
  @Tc=25℃
  （℃/W）
  封装  SOP Advance（WF）
  产品系列  U-MOSVIII-H  U-MOSVIII-H