利用正向压降测量半导体结温

2011年03月08日 12:01    发布者:嵌入式公社
从集成电路中数以百万计晶体管到制造高亮度LED的大面积复合结,半导体结可能由于不断产生的热量而在早期发生故障。当特征尺寸缩小并且当所需电流增大的情况下,这会成为非常严重的问题,甚至正常操作也可能聚积热量,使结温升高。温度上升会导致半导体结内部的故障增加,进而使性能降低、使用寿命缩短。因此,需要一种准确测量半导体器件温度的方法,避免出现危险的高温。本文介绍了一种用常规测试和测量仪器测量结温的简单方法,并且如何用测量的结温监视指定器件的工作条件。

下载:32011

了解更多,请访问Keithley技术专区。
该文章有附件资料,如需下载请访问 电脑版