具有低封装电感的600V和650V MOSFET
2019年07月12日 13:03 发布者:ningxueqin
VishayIntertechnology推出了3款采用小尺寸、表面贴装PowerPAK®SO-8L封装的N沟道器件,扩充其600V和650VE系列功率MOSFET。下面具体来了解一下。VISHAY600VSiHJ8N60E、650VSiHJ6N65E和SiHJ7N65EMOSFET更省空间,可替代TO-252(DPAK)封装的MOSFET,具有低封装电感。
SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸为5mmx6mm,占板空间和高度只有TO-252(DPAK)封装器件的一半。而且,与无引线DFN封装的MOSFET相比,碰到温度循环情况时,PowerPAKSO-8L封装的鸥翼引线结构能有效提高板级的可靠性。
SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造,导通电阻与栅极电荷乘积更低,该参数是评价功率转换应用中MOSFET的优值系数。
在功率因数校正、反激、双管正激转换器,以及HID和LED照明应用的硬开关拓扑中,这些参数意味着MOSFET能实现极低的传导和开关损耗,有效节约能源。
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