为什么MOSFET会发生热失控

　　对于导通时或导通后不久的VGS的任何给定值，在更高结温下，漏电流会更大，因为阈值电压会随着结温上升而下降。下面一起来看一下本文的介绍。
　　一旦VGS超过阈值电压，这个更大的电流反过来又提高了MOSFET的内部温度，因此当工作在线性区中时，MOSFET内一部分会发生热失控过程。
　　然而，在饱和区中，该过程是相反的：导通电阻随着结温而增大，限制了电流，因此拖延了热失控。为了获得良好的SOA性能，一个理想的FET应该具有低ZTC点，以减少热失控的可能性。
　　使用SOA数据来管理线性区的操作，任何电子元件获得过大功率都可能无法工作。导通时，MOSFET具有正温度系数，对于任何指定的栅源电压，它在更高的结温下具有更大的灌电流。
　　MOSFET特别容易受到过大功率的危害，因为所施加的功率会导致自加热，从而导致线性区热失控。
　　这就是为什么MOSFET制造商会为每个器件给出安全操作曲线，用于表示在直流和脉冲模式中、线性区和饱和区内，MOSFET的什么操作是安全的。
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