新一代产品大大减少栅极电荷
2019年05月22日 14:10 发布者:ningxueqin
650V E系列MOSFET在多种可选的封装形式里提供了出色的品质因数(FOM)Vishay的E系列650V N沟道功率MOSFET 已增加了22款器件,该系列基于其新一代超级结技术,提供超低导通电阻以及低栅极电荷,使电源转换应用实现了出色的品质因数(FOM)。该系列MOSFET提供6A至150A的额定电流,10V时具有0.030Ω 至0.6Ω的超低最大导通电阻,实现了极低的传导损耗和开关损耗,能够在高功率、高性能开关模式应用中节省能量。此外,超低栅极电荷和较低的栅极电荷与导通电阻乘积的品质因数(FOM),以及最新的超级结技术提供的较低输入电容等特性可提高开关性能,使设计人员能够使用较高的工作频率。从而使电源转换设备更加紧凑和高效。
MDmesh IITM Plus low Qg(低栅极电荷 MOSFET系列是意法半导体(ST)的超结 MOSFET的最新快速开关产品,额定电压为600 V。与上一代产品(MDmesh II)相比,已大大减小了栅极电荷,显著降低了开关损耗。
因此设计人员可以采用较高的开关频率,从而实现更紧凑和经济高效的设计(缩小了无源元器件的尺寸)。该新系列结合了出色的输出电容(Coss)特性,非常适合用在LLC半桥谐振拓扑中,而且也能工作于硬开关拓扑中如功率因数修正(PFC)、双管正激(TTF) 和反激式(Flyback)拓扑。
这些器件还具有较低的单位芯片面积导通电阻,降低了传导损耗,而且具有较高的抗dV/dt瞬变能力,即使在较大的电压瞬变情况下也能够可靠工作。
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